高盛发布最新研报，重申三星电子“买入”评级。该行认为，三星电子基本面依然稳健，存储需求持续显著超过供应，且这一缺口预计将在2027年进一步扩大并在2028年延续。公司HBM业务持续改善，预计明年收入将突破100万亿韩元，量价齐升提供有力支撑。此外，股东回报存在上行潜力。当前股价对应2027E仅3.6倍P/E和1.6倍P/B(ROE达53%)，高盛认为这提供了有吸引力的风险回报。

高盛在报告中表示，将三星电子2026年第三季度营业利润预估从此前的112万亿韩元下调5%至106万亿韩元，主要反映当季韩元兑美元汇率强于预期的影响——实际平均汇率为1,418韩元兑1美元，而此前假设为1,460韩元。尽管有所下调，高盛仍预计该季度营业利润将超过100万亿韩元，主要得益于DRAM和NAND业务的强劲基本面，尤其是HBM业务的持续稳健增长。

高盛指出，更新后的3Q26E预估与市场共识(BBG)基本一致，而2027-2028年的盈利预估则较市场基准高出8%-17%，主要反映更高的DRAM ASP假设(尤其是HBM)，其影响超过了传统DRAM出货量预估下调带来的拖累。高盛认为，公司聚焦HBM业务将相对限制传统DRAM的位元产出，从而在2027年进一步推升供应紧张态势。

HBM业务成核心增长引擎，2027年收入预计达740亿美元

高盛在报告中大幅上调了三星电子明年的HBM ASP预估，目前预计约为3.6美元/Gb，同比增长130%;出货量也增长60%以上，达到约210亿Gb。受此推动，高盛预计公司HBM收入将从今年的200亿美元增长274%至明年的740亿美元(约100万亿韩元)，HBM在DRAM收入中的占比将从今年的8%跃升至19%。

高盛特别强调，三星电子正凭借在谷歌(GOOGL.US)TPU等ASIC客户方面的强劲定位，以及在英伟达(NVDA.US)HBM4供应中市场份额的提升，积极拓展HBM业务。据产业链调研，公司已利用其顺畅的产能爬坡锁定显著更高的HBM定价和出货量。

在DRAM业务方面，高盛预计3Q26E DRAM位元出货量环比增长4%，混合DRAM ASP环比增长14%，与此前预估基本持平。其中，传统DRAM位元出货量因库存水平有限而基本持平，而HBM位元出货量则因HBM4的强劲出货环比增长近50%。受汇率负面影响，DRAM业务营业利润预估下调4%至81.8万亿韩元，营业利润率维持在81%的高位。

NAND业务方面，高盛预计3Q26E NAND位元出货量环比增长7%，混合NAND ASP环比增长17%，与此前预估基本一致。值得注意的是，AI智能体推理带来的KV缓存需求正推动eSSD需求增量上升，高盛因此上调了2027E/2028E的位元出货量和定价预估。尽管3Q26E NAND营业利润预估因汇率因素下调4%至26.8万亿韩元(营业利润率67%)，但高盛上调了2027E/2028E的NAND利润率预估，因更高的NAND ASP预估足以抵消汇率假设下调的影响。

代工/系统LSI和显示、移动及消费电子业务

另外，高盛将三星代工/系统LSI业务的3Q26E营业亏损预估从此前的1.2万亿韩元扩大至1.7万亿韩元，主要反映汇率负面因素以及高于预期的固定成本负担。不过，高盛仍预计该业务将在未来几个季度逐步改善产能利用率，尤其受益于先进制程代工的强劲需求。高盛预计2027E该业务营业亏损将收窄5万亿韩元，并有望在2027年下半年实现扭亏为盈，届时产能利用率预计超过90%。

三星显示(SDC)方面，高盛维持3Q26E营业利润预估不变，为1.0万亿韩元，汇率不利因素被柔性及可折叠OLED产品组合改善带来的稳健ASP所抵消。移动体验(MX)业务方面，高盛将3Q26E营业亏损预估从1.4万亿韩元下调至1.8万亿韩元，主要因存储芯片等零部件成本上升带来的更大冲击。鉴于2027E/2028E更高的DRAM和NAND ASP假设，高盛将MX部门这两年的营业利润预估下调了40%-50%。消费电子(CE)方面，高盛将3Q26E营业亏损预估从0.3万亿韩元下调至0.4万亿韩元，反映电视和家电需求跟踪慢于预期，以及零部件成本上升的潜在影响。