群智咨询发文称，2026年第二季度，全球Memory市场延续超级存储周期，供需短缺贯穿全季度，价格呈显著分化特征。AI算力需求主导产能分配，消费电子用DRAM与NAND供应紧张未缓解。根据群智咨询预测，二季度Memory价格继续上行但涨幅分化、部分品类价格涨幅趋缓。其中，DRAM价格分化显著，涨势逐步趋缓；NAND涨势延续，供给缺口凸显。

各产品价格趋势具体分析如下：

DRAM：价格分化显著，涨势逐步趋缓

2026 年第二季度DRAM价格延续上涨趋势，以 LPDDR4X/LPDDR5X 为主的消费电子 DRAM 合约价延续强劲的上涨态势，在消费电子端，手机应用端 DRAM 合约价保持着高幅度的上涨，环比上涨约90%，而DDR4合约价涨幅相较于一季度则有所放缓，涨幅趋缓至约50%。

需求端：AI 服务器的 “虹吸式” 的强大需求，依旧是推动市场变化的核心驱动力。它使得高带宽内存的需求始终保持旺盛状态。而在消费电子领域，需求却呈现出两极分化的态势。中高端终端产品由于对性能和体验的追求，其存储规格难以向下调整，这就使得对应DRAM的需求具备较强的刚性，无法通过降低规格来缓解成本压力。与之相反，低端消费电子市场对价格极为敏感，价格的上涨显著抑制了其需求，进而导致这部分DRAM的整体需求出现下滑。

供应端：随着高附加值内存产品迈入量产阶段，其复杂的工艺不仅增加了生产难度，而且单位晶圆产能的消耗更为显著，这无疑进一步压缩了消费端DRAM的产能空间。与此同时，存储原厂的库存处于历史低位水平，扩充产能的能力有限，并且在产能分配上优先满足AI客户的需求，使得消费端DRAM的供应进一步收紧。

整体来看，本季度 DRAM 的供需短缺问题依旧严峻，价格虽然持续上涨，但分化程度愈发加剧。DDR品类的涨幅率先开始收窄，而LPDDR品类则维持着高幅度的补涨。

NAND：涨势延续，供给缺口凸显

群智咨询预计2026 年第二季度，NAND闪存价格延续了之前的上涨势头，涨势迅猛，且供给缺口显著扩大，其中手机应用端NAND价格环比上涨约100%，消费级SSD价格环比上涨约54%。

需求端：在AI算力需求高速增长的大背景下，高附加值的NAND产品在产能分配中占据优先保障地位，订单增长的步伐并未放缓，这进一步加剧了消费级NAND市场的紧张氛围。从消费端来看，大容量存储配置的趋势不断深化，中高端终端产品对 NAND 的需求刚性很强，难以降低配置，这进一步稳固了消费端对NAND的需求。此外，部分消费级NAND产品与AI 产品在制程上存在重叠，导致其供给缺口在全产品线中较为明显。

供应端：头部存储厂商优先将先进制程产能分配给AI产品，消费电子用 NAND 的产能受到明显排挤。目前，主流厂商的产能利用率已经达到满载状态，难以在短期内快速释放额外产能，供应紧张的态势将持续存在。

群智咨询认为，短期而言，由 AI 驱动的产能结构性倾斜趋势难以在短期内得到逆转，消费电子终端用 NAND 的供需缺口难以得到实质性的缓解，因此本季度价格将继续保持强劲的上涨态势。